1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; польовий; -20В; -2,2А; Idm: -14А

Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; польовий; -20В; -2,2А; Idm: -14А
Немає в наявності
Код товару: PMDPB55XP,115
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMDPB55XP,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: DFN2020-6; HUSON6; SOT1118
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 99мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: -2,2А
Струм стоку в імпульсі: -14А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 560мкГн; 60мА; R: 28,6Ом; ±10%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 560мкГн; 60мА; R: 28,6Ом; ±10%; LQH

7,16 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,56мГн
Корпус - дюйм:
1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD

5,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1нФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 60В; 120А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 60В; 120А; Idm: 480А

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
TO262
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,7мкГн; 500мА; R: 0,4Ом; ±10%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,7мкГн; 500мА; R: 0,4Ом; ±10%; LQH

8,43 грн

Високосортність:
30
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
4,7мкГн
Недоступний
Модуль: тиристорний; пушпульна x2; 1,6кВ; 101А; T63; SEMITOP3
Модуль: тиристорний; пушпульна x2; 1,6кВ; 101А; T63; SEMITOP3

6414,73 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
SEMITOP3
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Трансформатор: мережевий; 24ВА; 115ВAC,230ВAC; 12В; 12В; 1А; PCB
Трансформатор: мережевий; 24ВА; 115ВAC,230ВAC; 12В; 12В; 1А; PCB

1010,52 грн

Виводи:
для друку
Виводи вторинної обмотки:
12-14, 17-19
Виводи первинної обмотки:
1-4, 6-9
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-4; PN EN 61558-2-6
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 1,3Вт

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Заряд затвора:
7,5/9,6нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 6,1А; 1,28Вт; SO8

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 0,96Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/5,7нКл
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 40В; 6А; 2Вт; SO8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 31/72,5А; 8,5/18Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 110мА; Idm: 0,72А; 375мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,44нКл
Корпус:
SC88; SOT363; TSSOP6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 5,5А; Idm: 35А; 1,7Вт

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
23,1нКл
Корпус:
U-DFN2020-6