1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори багатоканальні

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; 0,94Вт

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; 0,94Вт
Немає в наявності
Код товару: SI7949DP-T1-GE3
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7949DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 64мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,94Вт
Струм стока: -3,2А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET x2
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; ERJP03F
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; ERJP03F

1,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Рамка; защіпка; скло; чорний; Sedna Elements; Підсв: немає
Рамка; защіпка; скло; чорний; Sedna Elements; Підсв: немає

1791,06 грн

Колір:
чорний
Матеріал:
скло
Монтаж:
защіпка
Підсвітка:
немає
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 20ВDC; Uвих.2: -3,5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 20ВDC; Uвих.2: -3,5ВDC

281,93 грн

Вихідна напруга:
20В DC
Вихідна напруга 2:
-3,5В DC
Вихідний струм:
80мА
Вхідна напруга:
12В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,2Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,75 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: metal film; 5,9кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові
Резистор: metal film; 5,9кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові

0,31 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Конденсатор: електролітичний; THT; 6,8мкФ; 200ВDC; Ø10x12,5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 6,8мкФ; 200ВDC; Ø10x12,5мм

5,96 грн

Висота:
12,5мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
6,8мкФ
Connector: D-Sub; PIN: 15; plug; male; data transfer; straight; 3A
Connector: D-Sub; PIN: 15; plug; male; data transfer; straight; 3A

79,83 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
15
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 55/85А; 9,6/20Вт; DFN5x6

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 250В; 30А; Idm: 130А
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; польовий; 250В; 30А; Idm: 130А

1099,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
ISOPLUS i4-pac™ x024a
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 3,1Вт
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 3,1Вт

79,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,4нКл
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 80/-80В; 3,4/-2,6А; 2Вт; SOP8

105,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,6/8,2нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1,7Вт; CSP1515-4; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 8А; 1,7Вт; CSP1515-4; ESD

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
CSP1515-4
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 30В; 5А; 2Вт; SOP8

31,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET x2; 45В; 4,5А; SOP8; автомобільна галузь; ESD
Транзистор: N-MOSFET x2; 45В; 4,5А; SOP8; автомобільна галузь; ESD

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOP8