1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Симистори

Симістор; 1,2кВ; 40А; Igt: 50мА; TO3P-IS; туба; Ifsm: 400А

Симістор; 1,2кВ; 40А; Igt: 50мА; TO3P-IS; туба; Ifsm: 400А
Немає в наявності
Код товару: BTA41-1200BWE
72,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BTA41-1200BWE
Виробник: WAYON
Typ of triac: стандартний
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: 3-Quadrant
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: TO3P-IS
Монтаж: THT
Струм вентиля: 50мА
Струм в імпульсі макс.: 0,4кА
Струм провідності макс.: 40А
Тип симістора: стандартний
Тип тиристора: симистор
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 32МГц; VQFN48; 32кБRAM,256кБFLASH; ARM
IC: мікроконтролер ARM; 32МГц; VQFN48; 32кБRAM,256кБFLASH; ARM

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
ADC x13; CAN; DAC; I2C x3; SPI x2; UART x5
Кількість входів/виходів:
43
Діод: випрямний; THT; 200В; 8А; Ifsm: 100А; TO220FPAC; туба; 17нс
Діод: випрямний; THT; 200В; 8А; Ifsm: 100А; TO220FPAC; туба; 17нс

34,85 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
TO220FPAC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO264P; 200нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO264P; 200нс

997,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
0,14мкКл
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 75пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 75пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 187Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 187Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Connector: wire-board; male; data; PIN: 3; 5.08mm; tinned; straight
Connector: wire-board; male; data; PIN: 3; 5.08mm; tinned; straight

16,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
3
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220ABIns; туба
Симістор; 800В; 12А; Igt: 50мА; TO220ABIns; туба

69,69 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220ABIns
Симістор; 800В; 41А; Igt: 50мА; TOP3; туба
Симістор; 800В; 41А; Igt: 50мА; TOP3; туба

354,79 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TOP3
Симістор; 600В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Snubberless™
Симістор; 600В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба; Snubberless™

100,74 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Симістор; 700В; 20А; Igt: 50мА; TO220ABIns; туба; Snubberless™
Симістор; 700В; 20А; Igt: 50мА; TO220ABIns; туба; Snubberless™

167,26 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
700В
Корпус:
TO220ABIns
Симістор; 600В; 1А; Igt: 5/10мА; SOT223; ролик,cтрічка; Ifsm: 10А; 4Q
Симістор; 600В; 1А; Igt: 5/10мА; SOT223; ролик,cтрічка; Ifsm: 10А; 4Q

44,98 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 600В; 8А; Igt: 35/70мА; DPAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 65А; 4Q
Симістор; 600В; 8А; Igt: 35/70мА; DPAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 65А; 4Q

54,49 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5мА; DPAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 25А
Симістор; 600В; 4А; Igt: 5мА; DPAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 25А

54,49 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ