Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO264P; 200нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFK80N65X2
997,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFK80N65X2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 0,14мкКл
Корпус: TO264P
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 38мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 890Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 75пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 75пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 187Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 187Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Connector: wire-board; male; data; PIN: 3; 5.08mm; tinned; straight
Connector: wire-board; male; data; PIN: 3; 5.08mm; tinned; straight

16,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
3
Резистор: thick film; 3,6кОм; 0612; 750мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,6кОм; 0612; 750мВт; ±1%; -55÷155°C

1,54 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC

1422,33 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP69K
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм

7,16 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
33нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 620Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 620Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3-FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3

311,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-4

734,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Корпус:
PG-TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; 133В; 8,8А; 182Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; 133В; 8,8А; 182Вт; TO220-3

2122,41 грн

Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±10В
Напруга сток-джерело:
133В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 78А; 134Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 78А; 134Вт; TO220

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4,4А; 104Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4,4А; 104Вт; PG-TO262-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 14А; 170Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 14А; 170Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT