Транзистор: N-JFET; 50В; 2,5мА; 300мВт

Немає в наявності
Код товару: 2N3821
1481,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 14
Код товару: 2N3821
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 50В
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 2,5мА
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 7/8" "папа",7/8" "мама"; прямий; 1м
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 7/8" "папа",7/8" "мама"; прямий; 1м

3194,72 грн

Engineering PN:
7/8 Cable Assembly 4-pole st/st f/m 1,0m
Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
поліуретан термопластичний TPE-U
Кількість пін:
4
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 500мВт; Uвх: 700мВDC÷5ВDC; Uвих: 150ВDC; THT; Q
Перетворювач: DC/DC; 500мВт; Uвх: 700мВDC÷5ВDC; Uвих: 150ВDC; THT; Q

5991,60 грн

Вихідна напруга:
150В DC
Вихідний струм:
3,33мА
Вхідна напруга:
700мВ DC...5В DC
Зовнішні розміри:
12,7x12,7x12,7мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 2кОм; THT; 2Вт; ±5%; 500В; Ш0,7x28мм; осьові
Резистор: вуглецевий; 2кОм; THT; 2Вт; ±5%; 500В; Ш0,7x28мм; осьові

3,80 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5,5мм
Довжина:
16мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 114В; двоспрямована; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 0,5кВт; 114В; двоспрямована; Ch: 1; ролик,cтрічка

927,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
91,2В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK,TO263AB; SMD; 100В; 20А; туба
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK,TO263AB; SMD; 100В; 20А; туба

170,41 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Кількість в наборі/упаковці:
50шт.
Корпус:
D2PAK; TO263AB
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 15ВDC; DIP24; THT
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 15ВDC; DIP24; THT

913,50 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вхідна напруга:
36...72В DC
Зовнішні розміри:
31,8x20,3x10,2мм
Кількість виходів:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

770,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD