Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFR18N90P
699,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFR18N90P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 97нКл
Корпус: ISOPLUS247™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 900В
Опір в стані провідності: 0,66Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 200Вт
Струм стока: 10,5А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Технологія: HiPerFET™; Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 300нс
Недоступний
Резистор: thin film; 75,9Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 75,9Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 9,1кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 9,1кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thick film; 5,36кОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%
Резистор: thick film; 5,36кОм; SMD; 0603; 100мВт,125мВт; ±1%

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Світловий бар'єр безпеки; H: 1210мм; 1÷6м; IP65,IP67; XUSL; 24ВDC
Світловий бар'єр безпеки; H: 1210мм; 1÷6м; IP65,IP67; XUSL; 24ВDC

146953,42 грн

Вид виходу 1:
PNP
Вид виходу 2:
PNP
Висота:
1210мм
Властивості датчиків:
захист пальця
Недоступний
Резистор: thin film; 2,21кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 2,21кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

13,87 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 190мА; Idm: 1,7А; 1Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 190мА; Idm: 1,7А; 1Вт; TO92

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 162Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 162Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

13,94 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247