Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 650В; 30А; Idm: 60А; PDFN88

Немає в наявності
Код товару: TSG65N068CE RVG
1184,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSG65N068CE RVG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: HEMT
Вид упаковки: cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 6,7нКл
Корпус: PDFN88
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -10...7В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 68мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: GaN
Тип транзистора: N-JFET
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 0÷130мм; Дл: 2м; Різьба: M6
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 0÷130мм; Дл: 2м; Різьба: M6

788,14 грн

Дальність:
0...130мм
Довжина проводу:
2м
Різьба:
M6
Робоча температура:
-40...60°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 250V

54,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3.5mm; GKS-113; CuBe; 5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3.5mm; GKS-113; CuBe; 5N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 14,7Ом; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 14,7Ом; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові

26,61 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Діод: TVS; 28,5÷31,5В; 36,7А; двоспрямована; DO201AD; 1,5кВт; 1.5KE
Діод: TVS; 28,5÷31,5В; 36,7А; двоспрямована; DO201AD; 1,5кВт; 1.5KE

47,52 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
25,6В
Корпус:
DO201AD
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 12,4кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 12,4кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD