Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 27А; 1135Вт; T-Max

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 27А; 1135Вт; T-Max
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: APT26F120B2
Price: 1491.39 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: APT26F120B2

1491,39 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

APT26F120B2

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

300нКл

Корпус:

T-Max

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

1,2кВ

Опір в стані провідності:

0,58Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1135Вт

Струм стока:

27А

Технологія:

POWER MOS 8®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™

1766,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
197нКл

Корпус:
ISOPLUS247™

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TO220

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 67А; Idm: 320А; 170Вт; TO220AB

97,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
109нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 310Вт; TO220-3

207,81 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 105А; 323Вт

908,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
137нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,1А; Idm: 20А; 96Вт; IPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
18нКл

Корпус:
IPAK