Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 170мА; 300мВт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: BSS123-13-F
1,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: BSS123-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: 0,17А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,5A/30ВDC; з важелем; SPDT; ON-(ON)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,5A/30ВDC; з важелем; SPDT; ON-(ON)

71,59 грн

Виводи:
для друку; кутові
Властивості перемикачів:
з важелем
Електрична стійкість:
20000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 250В; X8G; ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 250В; X8G; ±2%; SMD; 0805

6,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 1,3кОм; THT; 2Вт; ±5%; 500В; Ш0,7x28мм; осьові
Резистор: вуглецевий; 1,3кОм; THT; 2Вт; ±5%; 500В; Ш0,7x28мм; осьові

3,80 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5,5мм
Довжина:
16мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 30кВт; 71,1В; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD
Діод: TVS; 30кВт; 71,1В; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD

2146,48 грн

Зворотна напруга макс.:
64В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
71,1В
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 42мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 42мА

205,27 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
42мА
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; SPI; 1Mx8бит; 50МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; SPI; 1Mx8бит; 50МГц; 2,7÷3,6В; WSON8

89,33 грн

Вид пам’яті:
Flash; NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
WSON8
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2,2÷5,5ВDC; SOT23-5; 8мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2,2÷5,5ВDC; SOT23-5; 8мкВ

57,02 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
8мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
50пА
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
13нКл