1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,3А; 1,2Вт; TSOT26

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,3А; 1,2Вт; TSOT26
Немає в наявності
Код товару: DMN10H170SVTQ-7
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN10H170SVTQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Корпус: TSOT26
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 0,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 2,3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; EcoFlex®; EcoGen®; 4x16AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu
Провід; EcoFlex®; EcoGen®; 4x16AWG; неекранований; 600В; 305м; Cu

277511,74 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
EcoGen®
Ковпачок; 12x12x3мм; прозорий; UB
Ковпачок; 12x12x3мм; прозорий; UB

32,94 грн

Застосування - серія/виробник:
UB
Колір:
прозорий
Розміри корпусу:
12x12x3мм
Тип аксесуарів для перемикачів:
ковпачок
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; THT
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; THT

97,57 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; LIN; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
12
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 130В; DO41; 250нА; Ufmax: 1В
Діод: зенера; 1,5Вт; 130В; DO41; 250нА; Ufmax: 1В

1571,85 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
130В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 18МГц; Ch: 2; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 18МГц; Ch: 2; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

242,02 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
35мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
7нА
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 256МбFLASH; CFI,parallel; 70нс; LFBGA64
IC: пам'ять FLASH; 256МбFLASH; CFI,parallel; 70нс; LFBGA64

451,09 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
CFI; parallel
Корпус:
LFBGA64
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 3А; Idm: 10А; 1,25Вт

29,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK