Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 70А; Idm: 210А; 50Вт; QFN3X3

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 70А; Idm: 210А; 50Вт; QFN3X3
Brand: DIOTEC SEMICONDUCTOR
SKU: DI070N01PTK
Price: 34.85 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DI070N01PTK

34,85 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DI070N01PTK

Виробник:

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

QFN3X3

Монтаж:

SMD

Напруга сток-джерело:

12В

Опір в стані провідності:

3,8мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

50Вт

Струм стока:

70А

Струм стоку в імпульсі:

210А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; 900В; 8А; 130Вт; D2PAK

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK

765,33 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
121нКл

Корпус:
HU3PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 5,2Вт; PowerPAK® SO8

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
70нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 156Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
25нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±30В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
8,3нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
D2PAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
10,4нКл