Транзистор: N-MOSFET; польовий; 190В; 10А; Idm: 40А; 85Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: RD3S100CNTL1
28,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: RD3S100CNTL1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 52нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 190В
Опір в стані провідності: 0,19Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 85Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 110А; 165Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 110А; 165Вт; TO220

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® TRAY II CY; 7x12AWG; чорний; 0,6кВ,1кВ
Провід; ÖLFLEX® TRAY II CY; 7x12AWG; чорний; 0,6кВ,1кВ

1298,15 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Запобіжник: плавка; 10,3x38мм; 8А; 690ВAC; gR; RAPIDPLUS
Запобіжник: плавка; 10,3x38мм; 8А; 690ВAC; gR; RAPIDPLUS

271,16 грн

Вид запобіжника:
керамічний; промисловий; циліндровий
Застосування запобіжників:
захист напівпровідникових елементів
Номінальна напруга:
690В AC
Номінальний струм:
8А
Конденсатор: алюміній-поліпропілен-папір; 2,2мкФ; 600ВDC; ±5%
Конденсатор: алюміній-поліпропілен-папір; 2,2мкФ; 600ВDC; ±5%

3850,74 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
70мм
Діаметр:
76мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 132(120+12); 300mA
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 132(120+12); 300mA

178,66 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0570-0103-5-71
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
лоток
Недоступний
IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; Uвх: 85÷265В; eSOP-12B
IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; Uвх: 85÷265В; eSOP-12B

65,89 грн

Вид об'єднаної схеми:
AC/DC switcher; контролер SMPS
Вхідна напруга:
85...265В
Корпус:
eSOP-12B
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: цифровий; інвертор; SOIC20; -55÷125°C; котушка,cтрічка
IC: цифровий; інвертор; SOIC20; -55÷125°C; котушка,cтрічка

37,38 грн

Вид об'єднаної схеми:
інвертор
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Корпус:
SOIC20
Робоча температура:
-55...125°C
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD