Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,2А; 490мВт; SOT523

Немає в наявності
Код товару: DMN2310UT-13
2,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMN2310UT-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Заряд затвора: 0,7нКл
Корпус: SOT523
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 490мВт
Струм стока: 1,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; SPI; 8Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; SPI; 8Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц

29,14 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвх: 99мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвх: 99мА

88,69 грн

Використання:
IoT; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Недоступний
Роз’єм: BNC; гніздо; гніздо BNC; коаксіальний; прямий; 75Ом
Роз’єм: BNC; гніздо; гніздо BNC; коаксіальний; прямий; 75Ом

478,29 грн

Connector family:
коаксіальний
Конструкція кабелю/переходу:
гніздо BNC
Просторова орієнтація:
прямий
Роз’єм:
гніздо
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,4пФ
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 4x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 305м
Провід; Xtra Guard® Flex; 4x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 305м

87474,89 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA AWM I/II A/B FT4; C(UL) TYPE CMG; UL 2661; UL 10002
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

968,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

40,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,67 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD