Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 7,5А; Idm: 48А; 50Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: FQPF19N20
98,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FQPF19N20
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: 7,5А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 5Вт; 18В; SMD; 5мкА
Діод: зенера; 5Вт; 18В; SMD; 5мкА

1524,33 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
18В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
5Вт
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; Dubox®; PIN: 6; 2.54mm
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; Dubox®; PIN: 6; 2.54mm

28,76 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
З`єднання: на рейку; 24А; 800В; push-in; PA; L: 27,2мм; 0,14÷4мм2
З`єднання: на рейку; 24А; 800В; push-in; PA; L: 27,2мм; 0,14÷4мм2

45,62 грн

Висота:
36мм
Довжина:
27,2мм
Електричний монтаж:
push-in
Кількість клем:
2
Недоступний
Провід; Pro-Tekt; 15x2x24AWG; неекранований; 300В; 100м; Cu; тросик
Провід; Pro-Tekt; 15x2x24AWG; неекранований; 300В; 100м; Cu; тросик

38256,51 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(UL) TYPE CMG FT4; EN 60332-1; EN 60332-2; UL 2464; UL 10002; UL CM; VW-1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 250В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 250В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0805

17,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
2,5пФ
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 26,7÷29,6В; 15,4А; односпрямована; ±5%; SMB
Діод: TVS; 600Вт; 26,7÷29,6В; 15,4А; односпрямована; ±5%; SMB

8,49 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
24В
100МГц; SMD; 2,5x2мм; 15пФ; ±10ppm; Вим: 2,5x2мм; -40÷85°C
100МГц; SMD; 2,5x2мм; 15пФ; ±10ppm; Вим: 2,5x2мм; -40÷85°C

182,46 грн

Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
2,5x2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD