Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 140А; 35Вт; HSOP8
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: RS1E350BNTB
Price: 50.05 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 140А; 35Вт; HSOP8

Немає в наявності

Код товару: RS1E350BNTB

50,05 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

RS1E350BNTB

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

185нКл

Корпус:

HSOP8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

2,5мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

35Вт

Струм стока:

80А

Струм стоку в імпульсі:

140А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Бажані

Резистор: thick film; 1кОм; 1,33Вт

29,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Опір:
1кОм

Потужність:
1,33Вт

Тип резистора:
thick film

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
C0G (NP0)

Ємність:
3,1пФ

Недоступний

Бажані

Кернер; Ø: 8мм; Дов.інструмента: 115мм

148,25 грн

Діаметр наконечника:
8мм

Довжина інструмента:
115мм

Тип інструмента:
кернер

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 390пФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
X7R

Допуск:
±20%

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet

Корпус:
TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
23нКл

Корпус:
SOT223

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6нКл

Корпус:
TSOP6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
6,5нКл

Корпус:
PowerFLAT 5x6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
8нКл

Корпус:
SO8

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
26,5нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD