Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 124А; 125Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: TSM043NB04LCZ C0G
86,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM043NB04LCZ C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 76нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 43,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 124А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1207; 22мкГн; R: 490мОм; ±10%; LSQB
Реактор: дротяний; SMD; 1207; 22мкГн; R: 490мОм; ±10%; LSQB

4,37 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
22мкГн
Корпус - дюйм:
1207
Корпус - мм:
3218
Недоступний
IC: power switch; high-side,USB switch; 1,5А; Ch: 1; P-Channel; SMD
IC: power switch; high-side,USB switch; 1,5А; Ch: 1; P-Channel; SMD

10,52 грн

Активний стан:
низьке
Вид виходу:
P-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side; USB switch
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 11пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 11пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 800Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 56ВDC; Iвих: 14,25А
Перетворювач: DC/DC; 800Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 56ВDC; Iвих: 14,25А

13414,87 грн

Вихідна напруга:
56В DC
Вихідний струм:
14,25А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; падіння напруги BOP; перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,1пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220

310,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 12А; 30Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 12А; 30Вт; IPAK

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
IPAK
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 105А; Idm: 600А; 130Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 105А; Idm: 600А; 130Вт; TO220AB

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; Idm: 34А; 26,5Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; Idm: 34А; 26,5Вт; ESD

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 28А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 28А; 125Вт; TO220AB

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP