Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 12А; 30Вт; IPAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STD12NF06L-1
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STD12NF06L-1
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: IPAK
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30Вт
Струм стока: 12А
Технологія: STripFET™ II
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 0,15А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 0,15А

59,55 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,5В; 2,8В
Вихідний струм:
0,15А
Недоступний
Резистор: thin film; 7,15кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 7,15кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 10,5кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10,5кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 11,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 11,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷60ВDC; Uвих: 0,8÷24ВDC; 25А; QFN32
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷60ВDC; Uвих: 0,8÷24ВDC; 25А; QFN32

416,88 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
ролик
Вихідна напруга:
0,8...24В DC
Вихідний струм:
25А
Недоступний
Резистор: thin film; 1,8кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,8кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 9,09Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,09Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
9,09Ом
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

866,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт

594,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А

287,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
165,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC