Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 198А; Idm: 1284А; 198Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMN1R0-40YLDX
100,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN1R0-40YLDX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Заряд затвора: 127нКл
Корпус: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 1,93мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 198Вт
Струм стока: 198А
Струм стоку в імпульсі: 1284А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікросхема RTC; I2C; 1,8÷5,5ВDC; HXSON10
IC: мікросхема RTC; I2C; 1,8÷5,5ВDC; HXSON10

24,01 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
PoR
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
HXSON10
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

45,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,2пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,6пФ
Недоступний
IC: driver; low-side; WDFN8; Ch: 1; MOSFET; 4,5÷18В; 3А
IC: driver; low-side; WDFN8; Ch: 1; MOSFET; 4,5÷18В; 3А

46,88 грн

Вид виходу:
що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
low-side
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 560нФ; 305ВAC; 27,5мм; ±10%; THT; H: 19мм
Конденсатор: поліестровий; 560нФ; 305ВAC; 27,5мм; ±10%; THT; H: 19мм

56,39 грн

Вид конденсатора:
X2
Висота:
19мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
31,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 40; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 40; THT; straight

49,42 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Модуль автоматики: регулятор; температура; -1999÷9999; SSR; E5CC
Модуль автоматики: регулятор; температура; -1999÷9999; SSR; E5CC

16231,01 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вид виходу 1:
SSR
Вид входу 2:
2 входи подій
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD