Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 553,8А; Idm: 900А; 122Вт; DFNW8

Немає в наявності
Код товару: NVMTS0D4N04CLTXG
601,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMTS0D4N04CLTXG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 163нКл
Корпус: DFNW8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 0,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 122Вт
Струм стока: 553,8А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷900А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷900А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

3297,01 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Відповідність стандарту:
EN 61000-6-2; EN 61000-6-4; EN 61010-1
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Недоступний
Роз’єм: IDC; вилка; штекерний; PIN: 26; Quickie; прямий; 2,54мм
Роз’єм: IDC; вилка; штекерний; PIN: 26; Quickie; прямий; 2,54мм

0,00 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
3,81мм
Кількість пін:
26
Кількість рядів:
2
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFJ; 3мкФ; 700ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFJ; 3мкФ; 700ВDC; THT; ±10%

53,85 грн

Висота:
28,5мм
Допуск:
±10%
Ємність:
3мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер; 150МГц; TQFP128; CAN,I2C,SPI,UART,USB
IC: мікроконтролер; 150МГц; TQFP128; CAN,I2C,SPI,UART,USB

652,56 грн

Вид архітектури:
32бит
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PWM
Інтерфейс:
CAN; I2C; SPI; UART; USB
Кількість таймерів 16бит:
3
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний; екранований,кутовий
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний; екранований,кутовий

5869,88 грн

Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Недоступний
Діод: TVS; 200Вт; 167÷185В; 820мА; односпрямована; SOD123F
Діод: TVS; 200Вт; 167÷185В; 820мА; односпрямована; SOD123F

4,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
SOD123F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 750мА; Idm: 3А; 200мВт; SOT523

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD