1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,9А; Idm: 31А; 25Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,9А; Idm: 31А; 25Вт
Немає в наявності
Код товару: SIHFR014TR-GE3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHFR014TR-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 4,9А
Струм стоку в імпульсі: 31А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 4,7нФ; 300ВAC; 13x11x5мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 4,7нФ; 300ВAC; 13x11x5мм; THT

9,25 грн

Вид конденсатора:
Y2
Висота:
11мм
Довжина відводів:
13мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,3пФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 465А; 103Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 80А; Idm: 465А; 103Вт

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
41,5нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 7,78В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 7,78В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

370,00 грн

Зворотна напруга макс.:
7В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,2пФ
Недоступний
Marker: cable-heat shrinkable; 50mm; white; Shrinking ratio: 2: 1
Marker: cable-heat shrinkable; 50mm; white; Shrinking ratio: 2: 1

57,65 грн

Властивості складських аксесуарів:
теплова передача; у формі драбинки
Діаметр після усадження:
2,4мм
Довжина:
50мм
Коефіцієнт усадження:
2:1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD