Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 290А; 23Вт; LFPAK56

Немає в наявності
Код товару: NVMYS9D3N06CLTWG
63,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMYS9D3N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,5нКл
Корпус: LFPAK56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 9,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 23Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 290А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; M; 13,5x12,5x5,7мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; M; 13,5x12,5x5,7мм

24,01 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
13,5x12,5x5,7мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1590,22 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,125А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 150В; 300мА; 1Вт
Транзистор: NPN; біполярний; 150В; 300мА; 1Вт

2324,51 грн

Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
150В
Поляризація:
біполярний
Потужність розсіювання:
1Вт
Недоступний
Test probe: switching; 5A; Ø: 5mm; SKS-415; plastic; 0.5N; push-in
Test probe: switching; 5A; Ø: 5mm; SKS-415; plastic; 0.5N; push-in

662,06 грн

Type of test probe:
switching
Вигин пружини макс.:
5,2мм
Висота одвороту:
2мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 83,3В; 4,9А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 83,3В; 4,9А; двоспрямована; SOD123F; Ch: 1

7,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
75В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD123F
IC: цифровий; NAND; Ch: 3; IN: 3; THT; DIP14; 74LS
IC: цифровий; NAND; Ch: 3; IN: 3; THT; DIP14; 74LS

57,02 грн

Вид затвору:
NAND
Кількість каналів:
triple; 3
Корпус:
DIP14
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 250В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 250В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0805

6,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,8пФ
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD