Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 26А; Idm: 115А; 250Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHB068N60EF-GE3
325,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHB068N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 77нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 68мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 26А
Струм стоку в імпульсі: 115А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: полімерний; H: 9мм; 22мкФ; 35ВDC; 1700мА; THT; RPF; ±20%
Конденсатор: полімерний; H: 9мм; 22мкФ; 35ВDC; 1700мА; THT; RPF; ±20%

0,00 грн

Висота:
9мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,7пФ; 250В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,7пФ; 250В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

7,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,7пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP12
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 3,3ВDC; SIP12

693,11 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
55%
Недоступний
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 25А; 16А; Igt: 10мА; TO263; SMD
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 25А; 16А; Igt: 10мА; TO263; SMD

111,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5мкФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 1210

9,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD