Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; 255Вт; D2PAK,TO263

Немає в наявності
Код товару: IPB60R099CPAATMA1
252,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPB60R099CPAATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 90мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 255Вт
Струм стока: 31А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 144В; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 144В; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

273,06 грн

Зворотна напруга макс.:
130В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
LED; червоний; SMD; 0805; 25мкд; 140°; 20мА; 650нм; Лінза: прозора
LED; червоний; SMD; 0805; 25мкд; 140°; 20мА; 650нм; Лінза: прозора

2,95 грн

Довжина хвилі λd:
650нм
Колір діода LED:
червоний
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4пФ
Недоступний
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 8А; Igt: 25мкА; TO220AB; THT
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 8А; Igt: 25мкА; TO220AB; THT

0,00 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220AB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 500В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 500В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

2,70 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD