Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: P60B4EL-5071
35,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: P60B4EL-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 57нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Технологія: EETMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,7пФ
Недоступний
Датчик: тиску; -6÷6бар; диференційний; OUT: аналоговий; THT; DIP
Датчик: тиску; -6÷6бар; диференційний; OUT: аналоговий; THT; DIP

3955,28 грн

Діапазон вимірювання тиску:
-6...6бар
Конфігурація виходу:
аналоговий
Корпус:
DIP
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C

0,20 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 31,6кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 31,6кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

65,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 3; M12 прямий "папа",М8 "мама" кутовий
Кабель: до датчиків; PIN: 3; M12 прямий "папа",М8 "мама" кутовий

1263,94 грн

Довжина кабелю:
1м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 13; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 13; THT; straight

46,25 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
40,8мм
Електричний монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; 470пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; 0603
Конденсатор: керамічний; 470пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; 0603

4,09 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,47нФ
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD