Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9А; Idm: 27А; 94Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: R6009KNJTL
68,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: R6009KNJTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 16,5нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 94Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 27А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD

39,28 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; LIN; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
24
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 56кОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø5x12мм; осьові; L: 12мм
Резистор: вуглецевий; 56кОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø5x12мм; осьові; L: 12мм

2,80 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5мм
Довжина:
12мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: дротяний; 4,7кОм; THT; 14Вт; ±5%; Ø8,5x53,3мм; осьові
Резистор: дротяний; 4,7кОм; THT; 14Вт; ±5%; Ø8,5x53,3мм; осьові

109,60 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
8,5мм
Довжина:
53,3мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 7,5Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 156мА
Перетворювач: DC/DC; 7,5Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 156мА

956,67 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідна напруга 2:
-24В DC
Вихідний струм:
156мА
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 150нФ; 520ВDC; 200ВAC; 18x10,5x5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 150нФ; 520ВDC; 200ВAC; 18x10,5x5мм

9,44 грн

Висота:
10,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
18мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0201

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 168мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 168мА

211,61 грн

Використання:
медичні програми; промисловість
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,168А
Відповідність стандарту:
CE
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 2А; 86Вт; TO263; 800нс

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 4,6А; Idm: 18,4А; 3Вт; SOT223

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 56А; Idm: 224А; 62,5Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD