Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251

Немає в наявності
Код товару: SIHU6N65E-GE3
92,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHU6N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 48нКл
Корпус: IPAK; TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 5А
Струм стоку в імпульсі: 18А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 0,5÷3В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 0,5÷3В

25,98 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований
Вихідна напруга:
0,5...3В
Вихідний струм:
0,7А
Вхідна напруга:
0,5...5,5В
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

888,88 грн

Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 450ВDC; ±20%; 3000г
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 450ВDC; ±20%; 3000г

255,96 грн

Діаметр:
30мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3-FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3

311,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-4

734,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Корпус:
PG-TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; 133В; 8,8А; 182Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; 133В; 8,8А; 182Вт; TO220-3

2122,41 грн

Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±10В
Напруга сток-джерело:
133В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 78А; 134Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 78А; 134Вт; TO220

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4,4А; 104Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4,4А; 104Вт; PG-TO262-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 14А; 170Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 14А; 170Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT