Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; SOT223

Немає в наявності
Код товару: WMT1N80D1
8,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Крок додавання: 5
Код товару: WMT1N80D1
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 11,5Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; SPI; 8Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; SPI; 8Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц

29,14 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвх: 99мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвх: 99мА

88,69 грн

Використання:
IoT; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Недоступний
Роз’єм: BNC; гніздо; гніздо BNC; коаксіальний; прямий; 75Ом
Роз’єм: BNC; гніздо; гніздо BNC; коаксіальний; прямий; 75Ом

478,29 грн

Connector family:
коаксіальний
Конструкція кабелю/переходу:
гніздо BNC
Просторова орієнтація:
прямий
Роз’єм:
гніздо
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,4пФ
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 4x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 305м
Провід; Xtra Guard® Flex; 4x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В; 305м

87474,89 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA AWM I/II A/B FT4; C(UL) TYPE CMG; UL 2661; UL 10002
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23

6,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 35А; 1,3Вт; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 35А; 1,3Вт; PowerDI3333-8

15,14 грн

Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 9А; Idm: 27А; 104Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 9А; Idm: 27А; 104Вт; SMA

330,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,63нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; Idm: 1133А; 179Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; Idm: 1133А; 179Вт

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 48А; Idm: 272А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 48А; Idm: 272А; 64Вт

53,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
26нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD