1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS123IXTSA1
12,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS123IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 0,63нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 10Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 0,15А
Струм стоку в імпульсі: 0,77А
Технологія: OptiMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 25В; 0,22А; 0,9Вт; SuperSOT-6

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Недоступний
Резистор: thick film; 23,7Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD
Резистор: thick film; 23,7Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%; ERJH2RD

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Пінцет: прямий; 115мм; для точних робіт; Форма кінц.леза: гострі
Пінцет: прямий; 115мм; для точних робіт; Форма кінц.леза: гострі

1268,37 грн

Використання інструментів:
для точних робіт
Довжина пінцета:
115мм
Тип інструмента:
пінцет
Тип пінцета:
прямий
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3,3ВDC; Uвих.2: -5ВDC; Iвих: 100мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3,3ВDC; Uвих.2: -5ВDC; Iвих: 100мА

374,43 грн

Вихідна напруга:
5В
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
3,3В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 866Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 866Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 13,7кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 13,7кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,87 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 5,36Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 5,36Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷125°C

0,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8