Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 45А; 208Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHB17N80E-GE3
309,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHB17N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 122нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,29Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 45А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTF180101M
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PTF180101M

657,57 грн

Потужність:
10 Вт
Частота:
1-2 ГГц
Pliers: cutting; side; two-component handle grips; 115mm
Pliers: cutting; side; two-component handle grips; 115mm

1780,75 грн

Type of pliers:
для різання
Вид щипці:
бічне
Властивості кусачок/ножів:
двокомпонентні рукоятки
Діапазон різки:
дріт середньої твердості Ø1,2мм макс.; м'який дріт Ø0,3...1,6мм; твердий дріт Ø0,6мм макс. макс.
Недоступний
Connector: wire-board; socket; male; data; PIN: 16; har-flexicon®
Connector: wire-board; socket; male; data; PIN: 16; har-flexicon®

203,99 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
har-flexicon 3,50 MTV-16 BK
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THR
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 60Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 4000мА
Перетворювач: DC/DC; 60Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 4000мА

4802,53 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
4А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Резистор: thick film; 60,4Ом; 200мВт; SR
Резистор: thick film; 60,4Ом; 200мВт; SR

0,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
60,4Ом
Потужність:
0,2Вт
Серія виробника:
SR
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 34,2В; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 0,5кВт; 34,2В; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C

3988,48 грн

Зворотна напруга макс.:
27,4В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
34,2В
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 20МГц; A/E/USART,GPIO,ICSP,SSP; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 20МГц; A/E/USART,GPIO,ICSP,SSP; SMD

63,98 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog; XLP
Інтерфейс:
A/E/USART; GPIO; ICSP; SSP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23

6,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 35А; 1,3Вт; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 35А; 1,3Вт; PowerDI3333-8

15,14 грн

Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 9А; Idm: 27А; 104Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 9А; Idm: 27А; 104Вт; SMA

330,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,63нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; Idm: 1133А; 179Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 100А; Idm: 1133А; 179Вт

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 48А; Idm: 272А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 48А; Idm: 272А; 64Вт

53,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
26нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD