Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHFBE30L-GE3
108,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHFBE30L-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 78нКл
Корпус: I2PAK; TO262
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 2,6А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; Xtra Guard® Flex; 5x22AWG; неекранований; 600В; 30,5м; Cu
Провід; Xtra Guard® Flex; 5x22AWG; неекранований; 600В; 30,5м; Cu

11710,79 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
C(RU) AWM I/II A/B FT1; UL 2587
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,62пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,62пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,62пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,85 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

770,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD