Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,4А; Idm: 37А; 33Вт; TO220FP

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,4А; Idm: 37А; 33Вт; TO220FP
Brand: VISHAY
SKU: SIHA21N80AEF-GE3
Price: 150.79 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIHA21N80AEF-GE3

150,79 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SIHA21N80AEF-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

71нКл

Корпус:

TO220FP

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

800В

Опір в стані провідності:

0,25Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

33Вт

Струм стока:

4,4А

Струм стоку в імпульсі:

37А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
219нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
38нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 10А; Idm: 60А; 22Вт; TO220FP

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
18,6нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 255Вт; TO220-3

165,99 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
95нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3,5А; Idm: 12А; 130Вт; TO247

435,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
13,7нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 120А; Idm: 480А; 176,5Вт

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
53нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

835,66 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
149нКл

Корпус:
TO247-3