1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M9; польовий; 650В; 34А; Idm: 170А

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M9; польовий; 650В; 34А; Idm: 170А
Немає в наявності
Код товару: STW65N045M9-4
506,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW65N045M9-4
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 80нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 39мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 312Вт
Струм стока: 34А
Струм стоку в імпульсі: 170А
Технологія: MDmesh™ M9
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 122В; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 122В; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

311,71 грн

Зворотна напруга макс.:
110В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,6пФ
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 50Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 50Вт; TO220-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 29Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 29Вт; TO220FP

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 11А; 85Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 11А; 85Вт; TO251

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™