Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; PLD-1.5W; 6Вт; 22,8дБ; 19,8%

Немає в наявності
Код товару: AFT27S006NT1
746,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AFT27S006NT1
Виробник: NXP
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: RF
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Вихідна потужність: 6Вт
ККД: 19,8%
Корпус: PLD-1.5W
Монтаж: SMD
Підсилення: 22,8дБ
Поляризація: польовий
Тип транзистора: N-MOSFET
Частота: 2140МГц
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; 8МГц; TSSOP38; 1,8÷3,6ВDC; CC430
IC: мікроконтролер MSP430; 8МГц; TSSOP38; 1,8÷3,6ВDC; CC430

0,00 грн

Вид архітектури:
MSP430
Корпус:
TSSOP38
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1,8...3,6В DC
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М12 "мама"; прямий; 5м; вилка; 250ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 3; М12 "мама"; прямий; 5м; вилка; 250ВDC

870,50 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір проводу:
чорний
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 120А; Idm: 300А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 120А; Idm: 300А

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 3A; 100V

92,50 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 96; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 96; THT; 3A; 100V

456,16 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6