Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А

Немає в наявності
Код товару: SIRC10DP-T1-GE3
81,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIRC10DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 5,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 27,5Вт
Струм стока: 60А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET + Schottky
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 25В; X8R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 25В; X8R; ±10%; SMD; 1210

46,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
2пФ
З`єднання: на рейку
З`єднання: на рейку

19,64 грн

Тип з`єднання:
на рейку
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,4пФ
Недоступний
IC: інтерфейс; рація; half duplex,RS422 / RS485; 50000кбіт/с
IC: інтерфейс; рація; half duplex,RS422 / RS485; 50000кбіт/с

0,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
рація
Інтерфейс:
half duplex; RS422 / RS485
Кількість передавачів:
1
Кількість приймачів:
1
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 45В; 10Аx2
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 45В; 10Аx2

53,21 грн

Зворотна напруга макс.:
45В
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
0,95В
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; 7,5м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 5; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 5; 7,5м; 60ВDC; 60ВAC; 4А; Жили: 5; PUR

0,00 грн

Довжина кабелю:
7,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,67 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD