Name: Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 38,1А; Idm: 100А; 366Вт
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: WNSC2M75120R6Q
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 38,1А; Idm: 100А; 366Вт

Немає в наявності

Код товару: WNSC2M75120R6Q

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 240

Крок додавання: 240

Код товару:

WNSC2M75120R6Q

Виробник:

WeEn Semiconductors

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Властивості напівпровідникових елементів:

виведення Кельвіна

Заряд затвора:

62нКл

Корпус:

TO247-4

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

-4...18В

Напруга сток-джерело:

1,2кВ

Опір в стані провідності:

0,105Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

366Вт

Струм стока:

38,1А

Струм стоку в імпульсі:

100А

Технологія:

SiC

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Провід; HookUp Wire; 26AWG; дріт; Cu; PTFE; синій; 250В; 305м

21997,62 грн

Будова жили:
дріт

Вид жили:
Cu; сріблена

Вид кабелю:
HookUp Wire

Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/6 (Type ET); NEMA HP3

Бажані

Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення

262,92 грн

Connector family:
роз'єм живлення

Тип роз’єму:
роз'єднувальна клемова рейка

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм

0,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
X7R

Допуск:
±10%

Недоступний

Бажані

Перетворювач: DC/DC; 49,9Вт; Iвих: 2,08А; Quarter Brick; THT; OUT: 1

Вихідна напруга:
24В

Вихідний струм:
2,08А

Відповідність стандарту:
CE

Додаткові функції:
OFF

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
219нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
38нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 10А; Idm: 60А; 22Вт; TO220FP

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
18,6нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 255Вт; TO220-3

165,99 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
95нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1,2кВ; 3,5А; Idm: 12А; 130Вт; TO247

435,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
13,7нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 120А; Idm: 480А; 176,5Вт

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
53нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

835,66 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
149нКл

Корпус:
TO247-3