Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 350А; 577Вт

Немає в наявності
Код товару: MSC012SMB120SDT/RM
1258,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 100
Крок додавання: 100
Код товару: MSC012SMB120SDT/RM
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 194нКл
Корпус: TO263-7XL
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 577Вт
Сімейство: SMB
Струм стока: 84А
Струм стоку в імпульсі: 350А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Провід; UNITRONIC® SENSOR; LifYY; 4x0,34мм2; неекранований; 300В
Провід; UNITRONIC® SENSOR; LifYY; 4x0,34мм2; неекранований; 300В

88,06 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
LifYY
Резистор: thick film; 82кОм; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 82кОм; ±5%; -55÷155°C

44,35 грн

Допуск:
±5%
Опір:
82кОм
Робоча температура:
-55...155°C
Тип резистора:
thick film
Недоступний
Транзистор: PNP x2; біполярний; 40В; 0,2А; SOT563
Транзистор: PNP x2; біполярний; 40В; 0,2А; SOT563

26,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT563
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
40В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 4В; X7T; ±20%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 4В; X7T; ±20%; SMD; 0603; 330мм

2,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 28,5В; 12А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 0,5кВт; 28,5В; 12А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C

752,03 грн

Зворотна напруга макс.:
22,8В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
28,5В
Connector: PCB to PCB; plug; data; PIN: 20; SlimStack; vertical
Connector: PCB to PCB; plug; data; PIN: 20; SlimStack; vertical

111,51 грн

Connector family:
data
Висота:
5мм
Висота після з'єднання:
5мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,056мкФ; 1кВDC; 21x7,5x17мм; THT
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,056мкФ; 1кВDC; 21x7,5x17мм; THT

22,55 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
56нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
17,5мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD