Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 48А; Idm: 200А; 370Вт

Немає в наявності
Код товару: MSC035SMA170S
1966,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MSC035SMA170S
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 178нКл
Корпус: D3PAK; TO268
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,7кВ
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 370Вт
Сімейство: SMA
Стандартне пакування виробника: 30шт.
Струм стока: 48А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 3м; Стандарт: Siemens; chainflex; power
Кабель: для сервоприводів; 3м; Стандарт: Siemens; chainflex; power

11296,90 грн

Engineering PN:
6FX2002-5CA28; 6FX3002-5CA28; 6FX5002-5CA28; 6FX8002-5CA28
Вид кабелю:
POWER
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
3м
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 180мм

0,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 111В; 18,6А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 111В; 18,6А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

902,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Реактор: керамічний; SMD; 0402; 1,3нГн; 1,2А; R: 30мОм; ±0,1нГн
Реактор: керамічний; SMD; 0402; 1,3нГн; 1,2А; R: 30мОм; ±0,1нГн

2,20 грн

Допуск:
±0,1нГн
Індуктивність:
1,3нГн
Корпус - дюйм:
0402
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD