Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 103А; Idm: 422А; 250Вт

Немає в наявності
Код товару: NTBG015N065SC1
1298,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: NTBG015N065SC1
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 283нКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -5...18В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 16мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 103А
Струм стоку в імпульсі: 422А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 133В; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,5кВт; 133В; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
120В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 12ВDC; SIP7; THT; AM1D-Z; ККД: 80%
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвих: 12ВDC; SIP7; THT; AM1D-Z; ККД: 80%

207,17 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
80%
Корпус:
SIP7
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; THT; 2.5A; 100V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; THT; 2.5A; 100V

302,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
4,2мм
Довжина відводів:
3,2мм
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3,2А; Idm: 12,8А; 2,4Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3,2А; Idm: 12,8А; 2,4Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
9,3нКл
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
7,2пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; LQFP48; 1,8÷3,6ВDC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; LQFP48; 1,8÷3,6ВDC; -40÷85°C

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
AES; Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; hardware encryption; PdR; PoR; PVD; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C x3; LPUART; SPI x6; USART x4
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD