Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 103А; Idm: 442А; 250Вт

Немає в наявності
Код товару: NVBG015N065SC1
1833,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVBG015N065SC1
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 283нКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -5...18В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 16мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 103А
Струм стоку в імпульсі: 442А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,6пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,6пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

18,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,6пФ
Пила; ручна; дерево; 10зуби/дюйм; 450мм
Пила; ручна; дерево; 10зуби/дюйм; 450мм

461,86 грн

Використання інструментів:
дерево
Ділення полотна:
10зуби/дюйм
Довжина:
0,45м
Модель:
ручна
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; THT; 2.5A; 100V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; THT; 2.5A; 100V

302,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
4,2мм
Довжина відводів:
3,2мм
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3,2А; Idm: 12,8А; 2,4Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3,2А; Idm: 12,8А; 2,4Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
9,3нКл
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,2пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
7,2пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; LQFP48; 1,8÷3,6ВDC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; LQFP48; 1,8÷3,6ВDC; -40÷85°C

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
AES; Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; hardware encryption; PdR; PoR; PVD; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C x3; LPUART; SPI x6; USART x4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 1,5кВ; X7R; ±10%; SMD; 2225
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 1,5кВ; X7R; ±10%; SMD; 2225

125,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD