1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 35А; 165Вт; PSMT-16L

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 35А; 165Вт; PSMT-16L
Немає в наявності
Код товару: MSC090SMA070SCT/R
201,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1300
Крок додавання: 1300
Код товару: MSC090SMA070SCT/R
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Корпус: PSMT-16L
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 112мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 165Вт
Сімейство: SMA
Стандартне пакування виробника: 1300шт.
Струм стока: 35А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005

0,69 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1пФ
Роз’єм: M12; промислова; прямий; сплав міді; метал; -25÷85°C
Роз’єм: M12; промислова; прямий; сплав міді; метал; -25÷85°C

306,01 грн

Connector family:
промислова
Матеріал контакту:
сплав міді
Матеріал корпусу:
метал
Просторова орієнтація:
прямий
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD