Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 75В; 120А; Idm: 480А

Name: Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 75В; 120А; Idm: 480А
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP160N75F3
Price: 156.49 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: STP160N75F3

156,49 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

STP160N75F3

Виробник:

STMicroelectronics

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

85нКл

Корпус:

TO220-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

75В

Опір в стані провідності:

4мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

330Вт

Струм стока:

120А

Струм стоку в імпульсі:

480А

Технологія:

STripFET™

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
36нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class

Заряд затвора:
54нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
0,35мкКл

Корпус:
ISOPLUS i5-pac™

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
97нКл

Корпус:
ISOPLUS247™

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TO220

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Модель:
ESD