Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 12А; Idm: 20А
Brand: VISHAY
SKU: SIA110DJ-T1-GE3
Price: 29.52 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 12А; Idm: 20А

Немає в наявності

Код товару: SIA110DJ-T1-GE3

29,52 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SIA110DJ-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

13нКл

Корпус:

PowerPAK® SC70

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

72мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

19Вт

Струм стока:

12А

Струм стоку в імпульсі:

20А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Резистор: вуглецевий; 715кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Діаметр:
2,2мм

Діаметр роліка макс.:
180мм

Довжина:
5,8мм

Недоступний

Бажані

IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; Uвх: 85÷265В; eDIP-12B

37,38 грн

Вид об'єднаної схеми:
AC/DC switcher; контролер SMPS

Вхідна напруга:
85...265В

Корпус:
eDIP-12B

Монтаж:
THT

Недоступний

Бажані

Діод: TVS; 6,5кВт; 47,8В; 93А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD

269,26 грн

Зворотна напруга макс.:
43В

Кількість каналів:
1

Монтаж:
SMD

Напруга пробою:
47,8В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
24нКл

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
PG-TO252-3

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

200,20 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
78нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
SOT23

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
SOT23

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
0,95нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD