Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 24А; Idm: 70А; SO8
Brand: VISHAY
SKU: SI4168DY-T1-GE3
Price: 31.30 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 24А; Idm: 70А; SO8

Немає в наявності

Код товару: SI4168DY-T1-GE3

31,30 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

SI4168DY-T1-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

44нКл

Корпус:

SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

30В

Опір в стані провідності:

7,6мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

5,7Вт

Струм стока:

24А

Струм стоку в імпульсі:

70А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Транзистор: NPN; біполярний; 400В; 1А; 40Вт; TO220AB

65,26 грн

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220AB

Монтаж:
THT

Напруги колектор-емітер:
400В

Недоступний

Бажані

Кристал; 20МГц; SMD; 2x1,6x0,5мм; 8пФ

44,35 грн

Ємність:
8пФ

Монтаж:
SMD

Розміри корпусу:
2x1,6x0,5мм

Тип кварцу:
кристал

Недоступний

Бажані

IC: пам'ять EEPROM; 16кБEEPROM; Microwire; 2Кx8/1Кx16бит; TSSOP8

29,78 грн

Вид пам’яті:
EEPROM

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Інтерфейс:
Microwire

Корпус:
TSSOP8

Недоступний

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 41,6А; Idm: 100А

79,83 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
PowerPAK® 1212-8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±16В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
48нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
36нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
16нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
86,2нКл

Корпус:
TO263