Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 50А; Idm: 70А; 69Вт

Немає в наявності
Код товару: SIR164DP-T1-GE3
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR164DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 123нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 3,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 69Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: wire-wire/PCB; socket; male; data; Gecko Latch; 2A; 2x6
Connector: wire-wire/PCB; socket; male; data; Gecko Latch; 2A; 2x6

312,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
THT
Позиціонер; 28AWG÷14AWG; RC; 0,08÷2,5мм2
Позиціонер; 28AWG÷14AWG; RC; 0,08÷2,5мм2

3916,63 грн

Застосування - серія/виробник:
RC
Переріз проводу:
0,08...2,5мм2
Розмір проводу:
28AWG...14AWG
Супутні товари:
KNP.975263A; KNP.975263DGA
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷4мм; 12÷24ВDC; M12; IP67; 40Гц
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷4мм; 12÷24ВDC; M12; IP67; 40Гц

0,00 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...4мм
Загальна довжина:
60мм
Кількість пін:
3
Недоступний
IC: інтерфейс; буфер; LVDS; -40÷85°C; 3÷3,6В; 1,5Гбіт/с; OUT: CMOS
IC: інтерфейс; буфер; LVDS; -40÷85°C; 3÷3,6В; 1,5Гбіт/с; OUT: CMOS

330,08 грн

Вид виходу:
CMOS
Вид об'єднаної схеми:
буфер
Інтерфейс:
LVDS
Кількість приймачів:
3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,4пФ; 500В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,4пФ; 500В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0805

5,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,4пФ
Connector: wire-board; socket; male; data; Dubox®; 3A; PIN: 8; 2.54mm
Connector: wire-board; socket; male; data; Dubox®; 3A; PIN: 8; 2.54mm

76,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
8
Заглушка; Застосування: USB C гніздо; білий
Заглушка; Застосування: USB C гніздо; білий

45,62 грн

Застосування роз’ємів:
USB C гніздо
Колір:
білий
Тип аксесуарів для роз’ємів:
заглушка
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD