1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 54А; Idm: 200А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 54А; Idm: 200А
Немає в наявності
Код товару: SISH536DN-T1-GE3
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISH536DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -12...16В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 4,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 17Вт
Струм стока: 54А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; H07V2-K; тросик; Cu; 35мм2; 2AWG; ПВХ; білий; 450В,750В
Провід; H07V2-K; тросик; Cu; 35мм2; 2AWG; ПВХ; білий; 450В,750В

735,56 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
H07V2-K
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 83,3÷92,5В; 5А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 83,3÷92,5В; 5А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMBJ

4,05 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
75В
Корпус:
SMB
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 16,7В; 61,5А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 16,7В; 61,5А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

308,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
15В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 3,7А; Idm: 25А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 3,7А; Idm: 25А; 1,4Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 90В; QFN3X3; SMD; 25А; SIDACtor®; UBO: 130В
Тиристор: TSS; Urmax: 90В; QFN3X3; SMD; 25А; SIDACtor®; UBO: 130В

36,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
broadband equipment
Зворотна напруга макс.:
90В
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 250В; 12А; Idm: 68А

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29,3нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В