Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 150А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SUM40012EL-GE3
95,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: SUM40012EL-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 195нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 2,24мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 150А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
PIN: 30; THT; на PCB; Покриття: позолочений
PIN: 30; THT; на PCB; Покриття: позолочений

301,57 грн

Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
30
Механічний монтаж:
на PCB
Покриття контакту:
позолочений
Ковпачок; ABS; сірий; втискувані; круглий
Ковпачок; ABS; сірий; втискувані; круглий

31,36 грн

Колір:
сірий
Кріплення:
втискувані
Матеріал:
ABS
Супутні товари:
A2523; A2623
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK,TO263AB; SMD; 45В; 30А; туба
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK,TO263AB; SMD; 45В; 30А; туба

93,77 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
45В
Кількість в наборі/упаковці:
50шт.
Корпус:
D2PAK; TO263AB
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 33,3В; 31А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 33,3В; 31А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

319,31 грн

Зворотна напруга макс.:
30В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 0402; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 0402; 330мм

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 100мкГн; ±10%; -40÷105°C
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 100мкГн; ±10%; -40÷105°C

3,86 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,1мГн
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 16кБEEPROM; 2-wire,I2C; 2Кx8бит; SOIC8; туба
IC: пам'ять EEPROM; 16кБEEPROM; 2-wire,I2C; 2Кx8бит; SOIC8; туба

18,44 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Корпус:
SOIC8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

200,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,95нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD