Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 58А; Idm: 230А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 58А; Idm: 230А
Brand: VISHAY
SKU: SQJ868EP-T1_GE3
Price: 27.69 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SQJ868EP-T1_GE3

27,69 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SQJ868EP-T1_GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

55нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

15мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

48Вт

Струм стока:

58А

Струм стоку в імпульсі:

230А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
54нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Напруга сток-джерело:
750В

Опір в стані провідності:
15мОм

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В

Струм стока:
300А

Тип транзистора:
N-MOSFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD