Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 12А; Idm: 40А

Немає в наявності
Код товару: SI7850ADP-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35,7Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 47А; Idm: 188А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 47А; Idm: 188А

928,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
470нКл
Корпус:
TO264
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; LQFP100; 1,8÷3,6ВDC; STM32L1
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; LQFP100; 1,8÷3,6ВDC; STM32L1

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C x2; I2S x2; SDIO; SPI x8; USART x5; USB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0402

8,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,1пФ
Недоступний
Провід; тросик; Cu; 24AWG; ПВХ; біло-синій; 1кВ; 305м; 1x24AWG
Провід; тросик; Cu; 24AWG; ПВХ; біло-синій; 1кВ; 305м; 1x24AWG

39,91 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
MIL-W-76 (Type MWP)
Вміст упаковки:
305м
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 11; SMT; 3A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 11; SMT; 3A; 125V

83,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD