Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 39,3А; Idm: 100А

Немає в наявності
Код товару: SIJ462ADP-T1-GE3
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIJ462ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 11мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 22,3Вт
Струм стока: 39,3А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M8 ALTW; IP67; метал; код A; 3А
Кабель: до датчиків; штекерний; M8 ALTW; IP67; метал; код A; 3А

1881,02 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 24ВDC; 4А
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 24ВDC; 4А

1282,95 грн

Довжина кабелю:
2м
Індикація:
LED
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 2.25N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 2.25N; push-in

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Click board; макетна плата; Комп: TB62261FTG; 3,3ВDC,5ВDC
Click board; макетна плата; Комп: TB62261FTG; 3,3ВDC,5ВDC

1599,72 грн

Вид модуля:
контролер крокового двигуна
Інтерфейс:
GPIO; I2C
Компоненти:
TB62261FTG
Напруга живлення:
3,3В DC; 5В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP

8,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 18А; 56,8Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 18А; 56,8Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK

765,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
121нКл
Корпус:
HU3PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,6Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523

6,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT523
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
41нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 9А; 63Вт; TO252

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 800В; 7А; 200Вт; TO263

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
32нКл
Корпус:
TO263