Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 153А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: SIDR5802EP-T1-RE3
92,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIDR5802EP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 60нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 153А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Cleaning cloth: sanding cloth; Granularity: 60; 230x280mm
Cleaning cloth: sanding cloth; Granularity: 60; 230x280mm

12,54 грн

Виконання:
аркуш
Гранулювання:
60
Матеріал носія:
synthetic resin
Розміри:
230x280мм
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; пригвинчуваний
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; пригвинчуваний

6623,17 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Вид фільтру:
трифазний
Монтаж:
пригвинчуваний
Робоча напруга:
530В AC
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X1; 33нФ; 530ВAC; 26,5x15x6мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; X1; 33нФ; 530ВAC; 26,5x15x6мм; THT

16,16 грн

Вид конденсатора:
X1
Висота:
15мм
Довжина відводів:
26,5мм
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5А; 70Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5А; 70Вт; DPAK

85,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,26А; 45Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,26А; 45Вт; DPAK; ESD

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 42А; 110Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 42А; 110Вт; DPAK; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 450В; 0,6А; 3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 450В; 0,6А; 3Вт; SOT223; ESD

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 108Вт; VSON-CLIP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 108Вт; VSON-CLIP8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
VSON-CLIP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK

371,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
118нКл
Корпус:
D2PAK